El carburo de silicio, m\u00e1s conocido como carborundo, es duro como el diamante y muy resistente al desgaste. Adem\u00e1s, sus propiedades cer\u00e1micas lo hacen adecuado para entornos de alta temperatura y tensi\u00f3n.<\/p>\n
La producci\u00f3n mediante el proceso Lely da como resultado un polvo que puede cortarse en gemas de moissanita para su uso como piedras preciosas, mientras que los fabricantes tambi\u00e9n lo emplean para su uso en la fabricaci\u00f3n de art\u00edculos abrasivos y productos que requieren dureza.<\/p>\n
El carburo de silicio (SiC), tambi\u00e9n conocido como carborundo \/krbnm\/, es un compuesto extremadamente duro de silicio y carbono que se forma naturalmente como el mineral moissanita y se produce en masa como abrasivo desde finales del siglo XIX. Al unir el SiC en cer\u00e1micas duras o doparlo con nitr\u00f3geno, f\u00f3sforo, berilio o aluminio se pueden formar semiconductores de tipo n o p.<\/p>\n
El SiC industrial suele producirse mediante el proceso Acheson, que consiste en calentar arena de s\u00edlice con fuentes de carbono, como el coque de petr\u00f3leo, a altas temperaturas en un horno abierto, lo que produce granos de color verde o negro en funci\u00f3n de su grado de pureza.<\/p>\n
El SiC es conocido por su conductividad t\u00e9rmica superior y su resistencia a la corrosi\u00f3n. Gracias a su bajo coeficiente de expansi\u00f3n t\u00e9rmica, su elevada relaci\u00f3n resistencia\/dureza, su estabilidad qu\u00edmica y su facilidad de mecanizaci\u00f3n, es una materia prima fundamental para muchas aplicaciones industriales, como refractarios, abrasivos y cer\u00e1micas de alta calidad [16].<\/p>\n
El carburo de silicio (SiC) es un material cer\u00e1mico t\u00e9cnico con propiedades \u00fanicas, como la inercia qu\u00edmica a todas las temperaturas, la resistencia al choque t\u00e9rmico y la alta sinterabilidad. El SiC se utiliza en diversas aplicaciones de cer\u00e1mica t\u00e9cnica, como la fabricaci\u00f3n de mobiliario para hornos y equipos de manipulaci\u00f3n de fluidos, as\u00ed como cojinetes y piezas de desgaste. Otros usos del SiC son los filtros de part\u00edculas di\u00e9sel y la protecci\u00f3n bal\u00edstica. Washington Mills ofrece equipos de trituraci\u00f3n, molienda y clasificaci\u00f3n capaces de producir materias primas que cumplen las normas ANSI, FEPA y JIS.<\/p>\n
El tama\u00f1o del grano de los polvos de SiC puede variar en funci\u00f3n de su estado inicial y de la fuente de carbono. Un proceso de preparaci\u00f3n popular para la s\u00edntesis de SiC es a trav\u00e9s de la reducci\u00f3n carbono-t\u00e9rmica; esto implica reaccionar una mezcla que contiene un mol de SiO2 menos de 200 mech con 1,5-3 moles de fuente de carbono; la lixiviaci\u00f3n \u00e1cida, el calentamiento y la reacci\u00f3n de la soluci\u00f3n resultante eliminar\u00e1n el carbono de vidrio que se produce.<\/p>\n
Los polvos de SiC producidos mediante el an\u00e1lisis cuantitativo por DRX se analizan posteriormente mediante el an\u00e1lisis de la forma de las part\u00edculas, la composici\u00f3n granulom\u00e9trica y la superficie espec\u00edfica. Entre las caracter\u00edsticas importantes se incluyen la forma de la part\u00edcula, la composici\u00f3n granulom\u00e9trica y la superficie espec\u00edfica. Las part\u00edculas de SiC suelen presentar estructuras planas y astilladas con subestructuras defectuosas caracterizadas por rejillas de dislocaci\u00f3n en sus bordes, una caracter\u00edstica indeseable que podr\u00eda repercutir negativamente en los procesos de sinterizaci\u00f3n.<\/p>\n
El carburo de silicio ofrece muchas caracter\u00edsticas \u00fanicas que permiten su aplicaci\u00f3n en diversos campos industriales. En particular, es extremadamente duro, con una dureza Mohs de 9. Adem\u00e1s, este material es qu\u00edmicamente inerte y ofrece una gran resistencia a la abrasi\u00f3n y al calor a altas temperaturas, as\u00ed como una buena resistencia a la tracci\u00f3n y un bajo coeficiente de dilataci\u00f3n t\u00e9rmica, cualidades que hacen que el carburo de silicio sea adecuado para muchos usos industriales.<\/p>\n
Los procesos de producci\u00f3n del carburo de silicio influyen enormemente en sus propiedades y usos. Edward Goodrich Acheson desarroll\u00f3 el proceso Acheson, que consiste en calentar una mezcla de arena de cuarzo, coque de petr\u00f3leo y virutas de madera a temperaturas extremadamente altas para provocar reacciones qu\u00edmicas que producen cristales de carburo de silicio.<\/p>\n
Este polvo abrasivo se emplea habitualmente en las industrias aeroespacial y automovil\u00edstica para bru\u00f1ir y lapear piezas con el fin de conseguir dimensiones precisas y acabados lisos, y tambi\u00e9n se utiliza en cer\u00e1mica, producci\u00f3n de vidrio y fabricaci\u00f3n de acero y otros metales. Alter Technology ha creado con este material un circuito de radio capaz de soportar las condiciones extremas del espacio.<\/p>\n
La cer\u00e1mica de carburo de silicio es un destacado material no oxidado con diversas aplicaciones debido a su dureza (dureza Mohs > 9), inercia qu\u00edmica, bajo coeficiente de dilataci\u00f3n t\u00e9rmica y resistencia tanto al calor como al impacto. El carburo de silicio se utiliza en piezas resistentes al desgaste en abrasivos o en cer\u00e1micas refractarias de piezas resistentes al desgaste, as\u00ed como en aplicaciones el\u00e9ctricas y de semiconductores gracias a sus propiedades de conductividad t\u00e9rmica.<\/p>\n
Para producir SiC, los fabricantes primero combinan s\u00edlice amorfa con carbono a altas temperaturas -normalmente coque de carb\u00f3n como fuente de carbono- antes de molerlo finamente y mezclarlo con peque\u00f1as cantidades de bauxita para formar una preforma. Una vez hecho esto, se procede al dopaje con nitr\u00f3geno (SiC de tipo n) o con boro, aluminio y galio (SiC de tipo p), en funci\u00f3n de la aplicaci\u00f3n deseada.<\/p>\n
A continuaci\u00f3n, los fabricantes utilizan esta preforma para producir carburo de silicio c\u00fabico mediante enlace por reacci\u00f3n o deposici\u00f3n qu\u00edmica de vapor. La uni\u00f3n por reacci\u00f3n es el m\u00e9todo m\u00e1s utilizado; consiste en calentarla a 1410 \u00baC y doparla con nitr\u00f3geno o boro para producir carburo de silicio de tipo n. La deposici\u00f3n qu\u00edmica de vapor requiere mucha m\u00e1s energ\u00eda y equipos para su proceso; la deposici\u00f3n qu\u00edmica de vapor requiere mucho menos. La deposici\u00f3n qu\u00edmica de vapor requiere mucha m\u00e1s energ\u00eda y equipos para su proceso; el enlace por reacci\u00f3n requiere mucho menos.<\/p>\n
El polvo de carburo de silicio conductivo de grado semiconductor est\u00e1 dise\u00f1ado para satisfacer las necesidades espec\u00edficas de crecimiento de diversos m\u00e9todos de crecimiento de monocristales de carburo de silicio conductivo de tipo n de tercera generaci\u00f3n. Este tipo de polvo presenta una distribuci\u00f3n \u00f3ptima del tama\u00f1o de las part\u00edculas con pocos huecos, ofreciendo niveles de pureza del producto superiores a 6N.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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