A szil\u00edciumkarbid, k\u00f6zismertebb nev\u00e9n karborundum, kem\u00e9ny, mint a gy\u00e9m\u00e1nt, \u00e9s rendk\u00edv\u00fcl kop\u00e1s\u00e1ll\u00f3. Tov\u00e1bb\u00e1 ker\u00e1mia tulajdons\u00e1gai alkalmass\u00e1 teszik a magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet\u0171 \u00e9s fesz\u00fclts\u00e9g\u0171 k\u00f6rnyezetekben val\u00f3 alkalmaz\u00e1sra.<\/p>\n
A Lely-elj\u00e1r\u00e1s eredm\u00e9nyek\u00e9nt a gy\u00e1rt\u00e1s sor\u00e1n olyan por alak\u00fa anyagot kapunk, amelyet dr\u00e1gak\u0151nek sz\u00e1nt moissanit dr\u00e1gak\u00f6vekk\u00e9 lehet v\u00e1gni, de a gy\u00e1rt\u00f3k csiszol\u00f3anyagok \u00e9s kem\u00e9nys\u00e9get ig\u00e9nyl\u0151 term\u00e9kek gy\u00e1rt\u00e1s\u00e1hoz is felhaszn\u00e1lj\u00e1k.<\/p>\n
A szil\u00edciumkarbid (SiC), m\u00e1s n\u00e9ven karborundum \/krbnm\/, a szil\u00edcium \u00e9s a sz\u00e9n rendk\u00edv\u00fcl kem\u00e9ny vegy\u00fclete, amely a term\u00e9szetben a moissanit \u00e1sv\u00e1ny form\u00e1j\u00e1ban k\u00e9pz\u0151dik, \u00e9s a 19. sz\u00e1zad v\u00e9ge \u00f3ta t\u00f6megesen gy\u00e1rtj\u00e1k csiszol\u00f3anyagk\u00e9nt. A SiC kem\u00e9ny ker\u00e1mi\u00e1v\u00e1 k\u00f6t\u00e9s\u00e9vel vagy nitrog\u00e9nnel, foszforral, berilliummal vagy alum\u00edniummal t\u00f6rt\u00e9n\u0151 adal\u00e9kol\u00e1s\u00e1val n- vagy p-t\u00edpus\u00fa f\u00e9lvezet\u0151k hozhat\u00f3k l\u00e9tre.<\/p>\n
Az ipari SiC-t \u00e1ltal\u00e1ban az Acheson-elj\u00e1r\u00e1s sor\u00e1n \u00e1ll\u00edtj\u00e1k el\u0151, amelynek sor\u00e1n a kovahomokot sz\u00e9nforr\u00e1ssal, p\u00e9ld\u00e1ul k\u0151olajkokszal egy\u00fctt magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten, nyitott kemenc\u00e9ben hev\u00edtik, \u00e9s a tisztas\u00e1gi szintt\u0151l f\u00fcgg\u0151en z\u00f6ld vagy fekete sz\u00edn\u0171 szemcs\u00e9ket kapnak.<\/p>\n
A SiC kiv\u00e1l\u00f3 h\u0151vezet\u0151 k\u00e9pess\u00e9g\u00e9r\u0151l \u00e9s korr\u00f3zi\u00f3\u00e1ll\u00f3s\u00e1g\u00e1r\u00f3l ismert. Alacsony h\u0151t\u00e1gul\u00e1si egy\u00fctthat\u00f3ja, nagy szil\u00e1rds\u00e1g\/szil\u00e1rds\u00e1g ar\u00e1nya, k\u00e9miai stabilit\u00e1sa \u00e9s k\u00f6nny\u0171 megmunk\u00e1lhat\u00f3s\u00e1ga miatt sz\u00e1mos ipari alkalmaz\u00e1sban, mint p\u00e9ld\u00e1ul a magas min\u0151s\u00e9g\u0171 t\u0171z\u00e1ll\u00f3 anyagok, csiszol\u00f3anyagok \u00e9s ker\u00e1mi\u00e1k els\u0151dleges nyersanyagak\u00e9nt szolg\u00e1l [16].<\/p>\n
A szil\u00edciumkarbid (SiC) egy olyan m\u0171szaki ker\u00e1miaanyag, amely egyed\u00fcl\u00e1ll\u00f3 tulajdons\u00e1gokkal rendelkezik, t\u00f6bbek k\u00f6z\u00f6tt minden h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten k\u00e9miai inertit\u00e1ssal, h\u0151\u00e1ll\u00f3s\u00e1ggal \u00e9s nagyfok\u00fa szinterezhet\u0151s\u00e9ggel. A SiC-et k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 m\u0171szaki ker\u00e1mia alkalmaz\u00e1sokban haszn\u00e1lj\u00e1k, t\u00f6bbek k\u00f6z\u00f6tt kemenceb\u00fatorok \u00e9s folyad\u00e9kkezel\u0151 berendez\u00e9sek, valamint csap\u00e1gyak \u00e9s kop\u00f3alkatr\u00e9szek gy\u00e1rt\u00e1s\u00e1n\u00e1l. A SiC tov\u00e1bbi felhaszn\u00e1l\u00e1si ter\u00fcletei k\u00f6z\u00e9 tartoznak a d\u00edzel r\u00e9szecskesz\u0171r\u0151k \u00e9s a ballisztikai v\u00e9delem. A Washington Mills olyan z\u00faz\u00f3, \u0151rl\u0151 \u00e9s oszt\u00e1lyoz\u00f3 berendez\u00e9seket k\u00edn\u00e1l, amelyek k\u00e9pesek az ANSI, FEPA \u00e9s JIS szabv\u00e1nyoknak megfelel\u0151 nyersanyagok el\u0151\u00e1ll\u00edt\u00e1s\u00e1ra.<\/p>\n
A SiC porok szemcsem\u00e9rete a kiindul\u00e1si \u00e1llapotukt\u00f3l \u00e9s a sz\u00e9nforr\u00e1st\u00f3l f\u00fcgg\u0151en v\u00e1ltozhat. A SiC szint\u00e9zis\u00e9nek n\u00e9pszer\u0171 el\u0151k\u00e9sz\u00edt\u00e9si folyamata a sz\u00e9n-termikus redukci\u00f3; ez azt jelenti, hogy egy m\u00f3l 200 mech-n\u00e9l kevesebb SiO2-t tartalmaz\u00f3 kever\u00e9ket 1,5-3 m\u00f3l sz\u00e9nforr\u00e1ssal reag\u00e1ltatnak; a kapott oldat savas kiold\u00e1sa, meleg\u00edt\u00e9se \u00e9s reakci\u00f3ba hoz\u00e1sa megsz\u00fcnteti az \u00fcvegsz\u00e9n keletkez\u00e9s\u00e9t.<\/p>\n
Az XRD kvantitat\u00edv elemz\u00e9ssel el\u0151\u00e1ll\u00edtott SiC porok tov\u00e1bbi elemz\u00e9se a r\u00e9szecskeforma, a granulometriai \u00f6sszet\u00e9tel \u00e9s a fajlagos fel\u00fcletelemz\u00e9s seg\u00edts\u00e9g\u00e9vel t\u00f6rt\u00e9nik. A fontos jellemz\u0151k k\u00f6z\u00e9 tartozik a r\u00e9szecskeforma, a granulometriai \u00f6sszet\u00e9tel \u00e9s a fajlagos fel\u00fclet. A SiC-r\u00e9szecsk\u00e9k jellemz\u0151en lapos, sz\u00e1lk\u00e1s szerkezetet mutatnak, amelynek hib\u00e1s alszerkezet\u00e9t a hat\u00e1raikon l\u00e9v\u0151 diszlok\u00e1ci\u00f3s r\u00e1csok jellemzik - ez egy nemk\u00edv\u00e1natos tulajdons\u00e1g, amely negat\u00edvan befoly\u00e1solhatja a szinterel\u00e9si folyamatokat.<\/p>\n
A szil\u00edciumkarbid sz\u00e1mos olyan egyedi tulajdons\u00e1ggal rendelkezik, amelyek lehet\u0151v\u00e9 teszik, hogy k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 ipari ter\u00fcleteken alkalmazz\u00e1k. Nevezetesen, hogy rendk\u00edv\u00fcl kem\u00e9ny, Mohs-f\u00e9le kem\u00e9nys\u00e9gi besorol\u00e1sa 9. Ezenk\u00edv\u00fcl ez az anyag k\u00e9miailag inert, \u00e9s nagy kop\u00e1s\u00e1ll\u00f3s\u00e1got, magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kletig tart\u00f3 h\u0151\u00e1ll\u00f3s\u00e1got, valamint j\u00f3 szak\u00edt\u00f3szil\u00e1rds\u00e1got \u00e9s alacsony h\u0151t\u00e1gul\u00e1si egy\u00fctthat\u00f3t biztos\u00edt - ezek a tulajdons\u00e1gok egy\u00fcttesen teszik alkalmass\u00e1 a szil\u00edciumkarbidot sz\u00e1mos ipari felhaszn\u00e1l\u00e1sra.<\/p>\n
A szil\u00edciumkarbid gy\u00e1rt\u00e1si folyamatai \u00f3ri\u00e1si hat\u00e1ssal vannak a tulajdons\u00e1gaira \u00e9s felhaszn\u00e1l\u00e1s\u00e1ra. Edward Goodrich Acheson fejlesztette ki az Acheson-elj\u00e1r\u00e1st, amelynek sor\u00e1n kvarc-homok, petr\u00f3leumkoksz \u00e9s faforg\u00e1cs kever\u00e9k\u00e9t rendk\u00edv\u00fcl magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten hev\u00edtik, hogy k\u00e9miai reakci\u00f3kat id\u00e9zzenek el\u0151, amelyek sor\u00e1n szil\u00edciumkarbid-krist\u00e1lyok keletkeznek - ezeket a krist\u00e1lyokat ezut\u00e1n porr\u00e1 lehet z\u00fazni, vagy elad\u00e1s c\u00e9lj\u00e1b\u00f3l ingotokk\u00e1 lehet \u00f6nteni.<\/p>\n
Ezt a csiszol\u00f3port a rep\u00fcl\u0151g\u00e9pipar \u00e9s az aut\u00f3ipar \u00e1ltal\u00e1nosan alkalmazza a pontos m\u00e9retek \u00e9s sima fel\u00fcletek el\u00e9r\u00e9s\u00e9hez sz\u00fcks\u00e9ges alkatr\u00e9szek \u00e9lez\u00e9s\u00e9re \u00e9s sim\u00edt\u00e1s\u00e1ra, de a ker\u00e1miaiparban, az \u00fcveggy\u00e1rt\u00e1sban, valamint az ac\u00e9l \u00e9s m\u00e1s f\u00e9mek gy\u00e1rt\u00e1s\u00e1ban is haszn\u00e1lj\u00e1k. Az Alter Technology olyan r\u00e1di\u00f3\u00e1ramk\u00f6rt k\u00e9sz\u00edtett ebb\u0151l az anyagb\u00f3l, amely ellen\u00e1ll az \u0171rben uralkod\u00f3 sz\u00e9ls\u0151s\u00e9ges k\u00f6r\u00fclm\u00e9nyeknek.<\/p>\n
A szil\u00edciumkarbid-ker\u00e1mia kiv\u00e1l\u00f3 nemoxidos anyag, amely kem\u00e9nys\u00e9ge (Mohs-kem\u00e9nys\u00e9g > 9), k\u00e9miai inertit\u00e1sa, alacsony h\u0151t\u00e1gul\u00e1si egy\u00fctthat\u00f3ja, valamint h\u0151- \u00e9s \u00fct\u00e9s\u00e1ll\u00f3s\u00e1ga miatt sokf\u00e9lek\u00e9ppen alkalmazhat\u00f3. A szil\u00edcium-karbid kop\u00e1s\u00e1ll\u00f3 alkatr\u00e9szk\u00e9nt csiszol\u00f3anyagokban vagy kop\u00e1s\u00e1ll\u00f3 alkatr\u00e9szk\u00e9nt kop\u00e1s\u00e1ll\u00f3 alkatr\u00e9szekben t\u0171z\u00e1ll\u00f3 ker\u00e1mi\u00e1kban, valamint f\u00e9lvezet\u0151 \u00e9s elektromos alkalmaz\u00e1sokban tal\u00e1l felhaszn\u00e1l\u00e1sra h\u0151vezet\u0151 tulajdons\u00e1gai miatt.<\/p>\n
A SiC el\u0151\u00e1ll\u00edt\u00e1s\u00e1hoz a gy\u00e1rt\u00f3k el\u0151sz\u00f6r az amorf szil\u00edcium-dioxidot magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleten sz\u00e9nnel kombin\u00e1lj\u00e1k - jellemz\u0151en sz\u00e9nkoksz a sz\u00e9nforr\u00e1s -, majd finomra \u0151rlik \u00e9s kis mennyis\u00e9g\u0171 bauxittal keverik, hogy el\u0151form\u00e1t alkossanak. Miut\u00e1n donoz\u00e1sra ker\u00fcl sor, vagy nitrog\u00e9nnel (n-t\u00edpus\u00fa SiC), vagy b\u00f3rral, alum\u00edniummal \u00e9s galliummal (p-t\u00edpus\u00fa SiC) t\u00f6rt\u00e9n\u0151 adal\u00e9kol\u00e1sra, a k\u00edv\u00e1nt alkalmaz\u00e1st\u00f3l f\u00fcgg\u0151en.<\/p>\n
A gy\u00e1rt\u00f3k ezt az el\u0151form\u00e1t azt\u00e1n felhaszn\u00e1lj\u00e1k a kocka alak\u00fa szil\u00edciumkarbid el\u0151\u00e1ll\u00edt\u00e1s\u00e1hoz, reakci\u00f3val vagy k\u00e9miai g\u0151zf\u00e1zis\u00fa lev\u00e1laszt\u00e1ssal t\u00f6rt\u00e9n\u0151 \u00f6sszekapcsol\u00e1s \u00fatj\u00e1n. A reakci\u00f3val t\u00f6rt\u00e9n\u0151 k\u00f6t\u00e9s a leggyakrabban alkalmazott m\u00f3dszer; ez 1410 \u00b0C-ra t\u00f6rt\u00e9n\u0151 hev\u00edt\u00e9st \u00e9s nitrog\u00e9nnel vagy b\u00f3rral t\u00f6rt\u00e9n\u0151 adal\u00e9kol\u00e1st jelent az n-t\u00edpus\u00fa SiC el\u0151\u00e1ll\u00edt\u00e1s\u00e1hoz. A k\u00e9miai g\u0151zf\u00e1zis\u00fa lev\u00e1laszt\u00e1shoz l\u00e9nyegesen t\u00f6bb energi\u00e1ra \u00e9s berendez\u00e9sre van sz\u00fcks\u00e9g; a reakci\u00f3val t\u00f6rt\u00e9n\u0151 k\u00f6t\u00e9s sokkal kevesebbet ig\u00e9nyel.<\/p>\n
A vezet\u0151 f\u00e9lvezet\u0151 min\u0151s\u00e9g\u0171 SiC port \u00fagy tervezt\u00e9k, hogy megfeleljen a harmadik gener\u00e1ci\u00f3s n-t\u00edpus\u00fa vezet\u0151 szil\u00edciumkarbid egykrist\u00e1lyok n\u00f6veszt\u00e9s\u00e9re szolg\u00e1l\u00f3 k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 m\u00f3dszerek egyedi n\u00f6veked\u00e9si ig\u00e9nyeinek. Ez a fajta por optim\u00e1lis szemcsem\u00e9ret-eloszl\u00e1ssal rendelkezik, kev\u00e9s \u00fcreggel, \u00e9s a term\u00e9k tisztas\u00e1gi szintje meghaladja a 6N-t.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Hogyan k\u00e9sz\u00edts\u00fcnk szil\u00edciumkarbid porokat A szil\u00edciumkarbid, k\u00f6zismertebb nev\u00e9n karborundum, kem\u00e9ny, mint a gy\u00e9m\u00e1nt, \u00e9s rendk\u00edv\u00fcl kop\u00e1s\u00e1ll\u00f3. Tov\u00e1bb\u00e1 ker\u00e1mia tulajdons\u00e1gai alkalmass\u00e1 teszik a magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9klet\u0171 \u00e9s fesz\u00fclts\u00e9g\u0171 k\u00f6rnyezetekben val\u00f3 alkalmaz\u00e1sra. A Lely-folyamatos gy\u00e1rt\u00e1s olyan porform\u00e1t eredm\u00e9nyez, amely moissanit dr\u00e1gak\u00f6vekk\u00e9 v\u00e1ghat\u00f3 dr\u00e1gak\u0151k\u00e9nt val\u00f3 felhaszn\u00e1l\u00e1sra, m\u00edg ... Olvass tov\u00e1bb<\/a><\/p>","protected":false},"author":1,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[],"class_list":["post-19","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-knowledge"],"aioseo_notices":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/siliconcarbidepowders.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/19","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/siliconcarbidepowders.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/siliconcarbidepowders.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbidepowders.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbidepowders.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=19"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/siliconcarbidepowders.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/19\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":20,"href":"https:\/\/siliconcarbidepowders.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/19\/revisions\/20"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/siliconcarbidepowders.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=19"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbidepowders.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=19"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/siliconcarbidepowders.com\/hu\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=19"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}