ဆီလီကွန်ကာဘိုက်မှုန့်များ ပြုလုပ်နည်း

ဆီလီကွန်ကာဘိုက်ကို ပိုမိုကျယ်ပြန့်စွာ ကာဘိုရန်ဒမ်ဟု ခေါ်ကြပြီး၊ ဒိုင်ယမဏ့်ကဲ့သို့ တင်းမာ၍ ဝတ်ဆင်းမှုကို အလွန်ကောင်းစွာ ခံနိုင်သည်။ ထို့အပြင်၊ ၎င်း၏ ဆီရမစ်ဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် အပူချိန်မြင့်နှင့် ဗို့အားမြင့် ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် သင့်လျော်သည်။.

Lely လုပ်ငန်းစဉ်မှ ထုတ်လုပ်သော အမှုန့်ကို မိုအိုင်ဆိုနိုက် ရတနာများအဖြစ် ဖြတ်ထုတ်အသုံးပြုနိုင်ပြီး၊ ထုတ်လုပ်သူများကလည်း ၎င်းကို ခိုင်မာမှုလိုအပ်သော ဖြတ်ထွင်းကိရိယာများနှင့် ထုတ်ကုန်များ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုကြသည်။.

အရင်းအမြစ်များ

Silicon carbide (SiC) ကို carborundum (/krbnm/) ဟုလည်း ခေါ်ကြပြီး သဘာဝအတိုင်း moissanite သတ္တုအဖြစ် တွေ့ရှိနိုင်သည့် silicon နှင့် carbon တို့၏ အလွန်ခိုင်ခန့်သော ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ၁၉ရာစုနောက်ပိုင်းမှစ၍ အကြမ်းစားပစ္စည်းအဖြစ် အများအပြား ထုတ်လုပ်အသုံးပြုလျက်ရှိသည်။ SiC ကို ခိုင်ခန့်သော ဆီရမစ်များအဖြစ် ပေါင်းစည်းခြင်း သို့မဟုတ် နိုက်ထရိုဂျင်၊ ဖော့စ်ဖရပ်စ်၊ ဘဲရီလီယမ် သို့မဟုတ် အလူမီနီယမ်တို့ဖြင့် ထိုးထည့်ခြင်းဖြင့် n-type သို့မဟုတ် p-type ဆိမ့်ကွန်ဒက်တာများ ဖန်တီးနိုင်သည်။.

စက်မှု SiC ကို ပုံမှန်အားဖြင့် Acheson နည်းဖြင့် ထုတ်လုပ်ကြပြီး၊ သဲဆလစ်ကာကို ပီထရိုလီယမ်ကို့ခ်ကဲ့သို့သော ကာဗွန်အရင်းအမြစ်များဖြင့် ဖွင့်လှစ်ထားသော မီးဖုတ်ထဲတွင် အပူချိန်မြင့်မားစွာ မီးပူပေးခြင်းဖြင့် ထုတ်လုပ်သည်။ ထိုကြောင့် သန့်ရှင်းမှုအဆင့်ပေါ်မူတည်၍ အစိမ်းရောင် သို့မဟုတ် အမည်းရောင် အမှုန်များ ရရှိသည်။.

SiC သည် ထူးခြားစွာ အပူစီးဆင်းနိုင်မှုနှင့် သံမဏိတားဆီးနိုင်မှုကြောင့် နာမည်ကြီးသည်။ အပူချဲ့ထွင်မှုညှိနှိုင်းချက်နည်းခြင်း၊ ခိုင်ခံ့မှုနှင့် ပြင်းထန်မှုအချိုးမြင့်ခြင်း၊ ဓာတုတည်ငြိမ်မှုနှင့် စက်ဖြင့် လွယ်ကူစွာ ထုတ်လုပ်နိုင်ခြင်းတို့ကြောင့် အဆင့်မြင့် မီးခံပစ္စည်းများ၊ အက်ဘရာစစ်များနှင့် ဆီရမစ်များကဲ့သို့သော စက်မှုလက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် အဓိက ကုန်ကြမ်းပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုလျက်ရှိသည်။.

လုပ်ဆောင်ခြင်း

Silicon Carbide (SiC) သည် အပူချိန်တိုင်းတွင် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တုံ့ပြန်မှုမရှိခြင်း၊ အပူထိုးခတ်ခံနိုင်ရည်နှင့် အလွန်မြင့်မားသော စင်တာနိုင်မှုတို့ပါဝင်သည့် နည်းပညာဆိုင်ရာ ဆီရမစ်ပစ္စည်းတစ်မျိုးဖြစ်သည်။ SiC ကို မီးဖိုပရိဘောဂနှင့် အရည်ကိုင်တွယ်ပစ္စည်းများ၊ ဘီးယားများနှင့် ဝတ်ဆင်ခံပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုကြသည်။ ထို့အပြင် ဒီဇယ်မှုန့်စစ်ထုတ်စနစ်များနှင့် ပစ်ခတ်ကာကွယ်ရေးပစ္စည်းများတွင်လည်း အသုံးပြုကြသည်။ Washington Mills သည် ANSI, FEPA နှင့် JIS စံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီသည့် အခြေခံပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်နိုင်သည့် ဖျက်ခြင်း၊ ကြိတ်ခြင်းနှင့် အမျိုးအစားခွဲခြင်း စက်ပစ္စည်းများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။.

SiC အမှုန်များသည် မူလအခြေအနေနှင့် ကာဗွန်ရင်းမြစ်ပေါ် မူတည်၍ အမှုန်အရွယ်အစားကွာခြားနိုင်သည်။ SiC ထုတ်လုပ်ရာတွင် လူကြိုက်များသော ပြင်ဆင်နည်းတစ်ခုမှာ ကာဗွန်အပူလျော့ချခြင်းဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းတွင် SiO₂ ၂၀၀ mech ထက်နည်းသော တစ်မိုလ်နှင့် ကာဗွန်ရင်းမြစ် ၁.၅–၃ မိုလ်တို့ကို ပေါင်းစပ်၍ အက်ဆစ်ဖြင့် ဖယ်ရှားခြင်း၊ အပူပေးခြင်းနှင့် ထွက်လာသည့် ဓာတ်ရည်ကို တုံ့ပြန်ခြင်းတို့ဖြင့် ဖန်ကာဗွန် မဖြစ်အောင် ထိန်းသိမ်းသည်။.

XRD အရေအတွက်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားသည့် SiC အမှုန့်များကို အမှုန်ပုံသဏ္ဍာန်၊ အမှုန်အရွယ်အစားဖွဲ့စည်းမှုနှင့် မျက်နှာပြင်သီးသန့်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းတို့ဖြင့် ထပ်မံစိစစ်သည်။ အရေးကြီးသော လက္ခဏာများမှာ အမှုန်ပုံသဏ္ဍာန်၊ အမှုန်အရွယ်အစားဖွဲ့စည်းမှုနှင့် မျက်နှာပြင်သီးသန့်တို့ဖြစ်သည်။ SiC အမှုန့်များတွင် ပုံမှန်အားဖြင့် ပြားပြားကွဲကွဲဖွဲ့စည်းမှုများနှင့် နယ်နိမိတ်များပေါ်တွင် dislocation grid များပါဝင်သည့် ချို့ယွင်းဖွဲ့စည်းမှုများ တွေ့ရပြီး ၎င်းသည် sintering လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် မလိုလားအပ်သော ထိခိုက်မှုများ ဖြစ်စေနိုင်သည်။.

အင်္ဂါရပ်များ

ဆီလီကွန်ကာဘိုက်သည် စက်မှုလုပ်ငန်းကဏ္ဍအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုနိုင်စေရန် ထူးခြားသော လက္ခဏာများစွာကို ပေးစွမ်းသည်။ အထူးသဖြင့် မော့စ်ခိုင်မာမှုအဆင့် ၉ ရှိပြီး အလွန်ခိုင်မာသည်။ ထို့အပြင် ဓာတုဗေဒအရ တုံ့ပြန်မှုမရှိခြင်း၊ ပွတ်တိုက်ခံနိုင်မှုမြင့်မားခြင်း၊ အပူချိန်မြင့်ထိ ခံနိုင်ခြင်း၊ ဆွဲအားခိုင်မာမှုကောင်းခြင်းနှင့် အပူချဲ့ထွင်နှုန်းနည်းခြင်းတို့ပါဝင်သည်။ ဤအရည်အသွေးများကြောင့် ဆီလီကွန်ကာဘိုက်ကို စက်မှုအသုံးပြုမှုအမျိုးမျိုးတွင် သင့်လျော်စွာ အသုံးပြုနိုင်သည်။.

ဆီလီကွန်ကာဘိုက် ထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များသည် ၎င်း၏ ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် အသုံးချမှုများပေါ်တွင် အလွန်ကြီးမားသော သက်ရောက်မှုရှိသည်။ Edward Goodrich Acheson သည် Acheson နည်းစနစ်ကို တီထွင်ခဲ့ပြီး၊ ဤနည်းစနစ်တွင် ကွတ်ဇ်သဲ၊ ပီထရိုလီယမ်ကိုက်နှင့် သစ်သားချပ်များကို အလွန်မြင့်မားသော အပူချိန်တွင် ပူနွေးစေခြင်းဖြင့် ဓာတုတုံ့ပြန်မှုများ ဖြစ်ပေါ်စေကာ ဆီလီကွန်ကာဘိုက် ခရစ်စတယ်များကို ထုတ်လုပ်သည်။ ထိုခရစ်စတယ်များကို နောက်တွင် အမှုန့်အဖြစ် ဖျက်ထုတ်ခြင်း သို့မဟုတ် အင်ဂိုများအဖြစ် သွန်းထုတ်၍ ရောင်းချနိုင်သည်။.

ဤပွတ်ဆေးမှုန့်ကို လေကြောင်းနှင့် မော်တော်ယာဉ်လုပ်ငန်းများတွင် အစိတ်အပိုင်းများကို တိကျမှန်ကန်သော အတိုင်းအတာများနှင့် ချောမွေ့သော မျက်နှာပြင်များ ရရှိစေရန် ပွတ်ခြင်းနှင့် လပ်ခြင်းအတွက် ကျယ်ပြန့်စွာ အသုံးပြုကြပြီး၊ ဆီရမစ်၊ ဖန်ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် သံမဏိနှင့် အခြားသတ္တုများ ထုတ်လုပ်ရာတွင်လည်း အသုံးဝင်သည်။ Alter Technology သည် ဤပစ္စည်းကို အသုံးပြု၍ အာကာသ၏ ပြင်းထန်သော အခြေအနေများကို ခံနိုင်သော ရေဒီယိုစက်ဝိုင်းတစ်ခု ဖန်တီးခဲ့သည်။.

လျှောက်လွှာများ

ဆီလီကွန်ကာဘိုက်ဆီရမစ်သည် မအောက်ဆိုဒ်ပစ္စည်းတစ်မျိုးဖြစ်ပြီး ၎င်း၏ မိုဟ်စ်ကတ်တန်ခိုင်မာမှု (Mohs hardness > 9)၊ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တုံ့ပြန်မှုမရှိခြင်း၊ အပူချဲ့ထွင်နှုန်းနည်းခြင်းနှင့် အပူနှင့် ထိခိုက်မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းတို့ကြောင့် အမျိုးမျိုးသော အသုံးချမှုများတွင် ထူးခြားစွာ အသုံးပြုနိုင်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဘိုက်ကို ၎င်း၏ အပူသယ်ဆောင်နိုင်မှုကြောင့် အက်ဘရေးဆစ်များတွင် ဝတ်ဆင်ခံနိုင်သော အစိတ်အပိုင်းများ၊ မီးခံပစ္စည်းများတွင် ဝတ်ဆင်ခံနိုင်သော အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ဆီမီကွန်ဒက်တာနှင့် လျှပ်စစ်ဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများတွင်လည်း အသုံးပြုကြသည်။.

SiC ထုတ်လုပ်ရာတွင် ပထမဦးစွာ amorphous silica ကို ကာဗွန် (အများအားဖြင့် ကွိုင်ကို့ခ်ကို ကာဗွန်အရင်းအမြစ်အဖြစ် အသုံးပြု) နှင့် အပူချိန်မြင့်တွင် ပေါင်းစပ်ပြီး၊ ထို့နောက် အမှုန့်အသေးငယ်အထိ ကြိတ်ကာ ဘောက်ဆိုက်အနည်းငယ်နှင့် ရောနှော၍ preform ကို ဖွဲ့ဆောင်သည်။ ထို့အပြီးတွင် လိုအပ်သည့် အသုံးပြုမှုအပေါ် မူတည်ကာ နိုက်ထရိုဂျင်ဒေါပင်း (n-type SiC) သို့မဟုတ် ဘိုရွန်၊ အလူမီနီယမ်နှင့် ဂယ်လီယမ်ဒေါပင်း (p-type SiC) ပြုလုပ်သည်။.

ထုတ်လုပ်သူများသည် ဤ ပရီးဖောင်းကို တုံ့ပြန်ချိတ်ဆက်ခြင်း သို့မဟုတ် ဓာတုဓာတ်ငွေ့တင်ခြင်းဖြင့် ကုဗစ် စီလီကွန်ကာဘိုက် ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုကြသည်။ တုံ့ပြန်ချိတ်ဆက်ခြင်းသည် ပိုမိုကျယ်ပြန့်စွာ အသုံးပြုသော နည်းလမ်းဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းတွင် ပစ္စည်းကို ၁၄၁၀ ဒီဂရီဆယ်လ်စီးယပ်တွင် အပူပေးကာ နိုက်ထရိုဂျင် သို့မဟုတ် ဘိုရွန်ဖြင့် ထိုးထည့်ခြင်းဖြင့် n-အမျိုးအစား SiC ထုတ်လုပ်သည်။ ဓာတုဓာတ်ငွေ့တင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်တွင် များစွာသော စွမ်းအင်နှင့် ပစ္စည်းကိရိယာများ လိုအပ်သော်လည်း တုံ့ပြန်ချိတ်ဆက်ခြင်းတွင် လိုအပ်ချက်နည်းပါးသည်။.

လျှပ်စစ်ဆက်သွယ်နိုင်သော ဆီလီကွန်ကာဘိုက် (Conductive semiconductor grade SiC) အမှုန့်ကို တတိယမျိုးဆက် n-အမျိုးအစား လျှပ်စစ်ဆက်သွယ်နိုင်သော ဆီလီကွန်ကာဘိုက် တစ်ခုတည်းခဲများကို မတူညီသော ကြီးထွားနည်းများဖြင့် ထုတ်လုပ်ရာတွင် ထူးခြားစွာ လိုအပ်သည့် ကြီးထွားမှုလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ ဤအမှုန့်တွင် အပေါက်များနည်းပြီး အမှုန့်အရွယ်အစား ဖြန့်ဝေမှု သင့်တော်ကောင်းမွန်ကာ ထုတ်ကုန်သန့်ရှင်းမှုအဆင့် 6N ကျော်ရှိသည်။.