O carbeto de sil\u00edcio, mais comumente chamado de carborundum, \u00e9 duro como o diamante e altamente resistente ao desgaste. Al\u00e9m disso, suas propriedades cer\u00e2micas o tornam adequado para ambientes de alta temperatura e tens\u00e3o.<\/p>\n
A produ\u00e7\u00e3o do processo Lely resulta em p\u00f3 que pode ser cortado em gemas de moissanita para uso como pedras preciosas, enquanto os fabricantes tamb\u00e9m o empregam na fabrica\u00e7\u00e3o de itens abrasivos e produtos que exigem dureza.<\/p>\n
O carbeto de sil\u00edcio (SiC), tamb\u00e9m conhecido como carborundum \/krbnm\/, \u00e9 um composto extremamente duro de sil\u00edcio e carbono que se forma naturalmente como o mineral moissanita e \u00e9 produzido em massa como abrasivo desde o final do s\u00e9culo XIX. A liga\u00e7\u00e3o do SiC em cer\u00e2micas duras ou sua dopagem com nitrog\u00eanio, f\u00f3sforo, ber\u00edlio ou alum\u00ednio pode formar semicondutores do tipo n ou p.<\/p>\n
O SiC industrial \u00e9 normalmente produzido por meio do processo Acheson de aquecimento de areia de s\u00edlica com fontes de carbono, como o coque de petr\u00f3leo, a altas temperaturas em um forno aberto, produzindo gr\u00e3os de cor verde ou preta, dependendo do n\u00edvel de pureza.<\/p>\n
O SiC \u00e9 conhecido por sua condutividade t\u00e9rmica e resist\u00eancia \u00e0 corros\u00e3o superiores. Com baixo coeficiente de expans\u00e3o t\u00e9rmica, alta rela\u00e7\u00e3o resist\u00eancia\/dureza, estabilidade qu\u00edmica e facilidade de usinagem, ele serve como mat\u00e9ria-prima principal em muitas aplica\u00e7\u00f5es industriais, como refrat\u00e1rios\/abrasivos\/cer\u00e2micas de alto grau [16].<\/p>\n
O carbeto de sil\u00edcio (SiC) \u00e9 um material cer\u00e2mico t\u00e9cnico com propriedades exclusivas, incluindo in\u00e9rcia qu\u00edmica em todas as temperaturas, resist\u00eancia a choques t\u00e9rmicos e alta sinterabilidade. O SiC \u00e9 usado em v\u00e1rias aplica\u00e7\u00f5es de cer\u00e2mica t\u00e9cnica, incluindo a fabrica\u00e7\u00e3o de m\u00f3veis para fornos e equipamentos de manuseio de fluidos, al\u00e9m de rolamentos e pe\u00e7as de desgaste. Outros usos do SiC incluem filtros de part\u00edculas de diesel e prote\u00e7\u00e3o bal\u00edstica. A Washington Mills oferece equipamentos de britagem, moagem e classifica\u00e7\u00e3o capazes de produzir mat\u00e9rias-primas que atendem \u00e0s normas ANSI, FEPA e JIS.<\/p>\n
Os p\u00f3s de SiC podem variar em tamanho de gr\u00e3o, dependendo de seu estado inicial e da fonte de carbono. Um processo de prepara\u00e7\u00e3o popular para a s\u00edntese de SiC \u00e9 a redu\u00e7\u00e3o t\u00e9rmica de carbono; isso envolve a rea\u00e7\u00e3o de uma mistura contendo um mol de SiO2 com menos de 200 mech com 1,5 a 3 moles de fonte de carbono; a lixivia\u00e7\u00e3o \u00e1cida, o aquecimento e a rea\u00e7\u00e3o da solu\u00e7\u00e3o resultante eliminar\u00e3o a produ\u00e7\u00e3o de carbono v\u00edtreo.<\/p>\n
Os p\u00f3s de SiC produzidos por meio da an\u00e1lise quantitativa de XRD s\u00e3o analisados posteriormente por meio do formato da part\u00edcula, da composi\u00e7\u00e3o granulom\u00e9trica e da an\u00e1lise da superf\u00edcie espec\u00edfica. As caracter\u00edsticas importantes incluem o formato da part\u00edcula, a composi\u00e7\u00e3o granulom\u00e9trica e a superf\u00edcie espec\u00edfica. Em geral, as part\u00edculas de SiC apresentam estruturas planas e fragmentadas com subestruturas defeituosas caracterizadas por grades de deslocamento em suas bordas - uma caracter\u00edstica indesej\u00e1vel que pode ter um impacto negativo nos processos de sinteriza\u00e7\u00e3o.<\/p>\n
O carbeto de sil\u00edcio oferece muitas caracter\u00edsticas exclusivas que permitem sua aplica\u00e7\u00e3o em v\u00e1rios campos industriais. Al\u00e9m disso, esse material \u00e9 quimicamente inerte e oferece grande resist\u00eancia \u00e0 abras\u00e3o, resist\u00eancia ao calor at\u00e9 altas temperaturas e tem boa resist\u00eancia \u00e0 tra\u00e7\u00e3o e propriedades de baixo coeficiente de expans\u00e3o t\u00e9rmica - qualidades que se somam para tornar o carbeto de sil\u00edcio adequado para muitos usos industriais.<\/p>\n
Os processos de produ\u00e7\u00e3o de carbeto de sil\u00edcio t\u00eam um efeito imenso em suas propriedades e usos. Edward Goodrich Acheson desenvolveu o processo Acheson, que envolve o aquecimento de uma mistura de areia de quartzo, coque de petr\u00f3leo e lascas de madeira a temperaturas extremamente altas para provocar rea\u00e7\u00f5es qu\u00edmicas que produzem cristais de carbeto de sil\u00edcio - esses cristais podem ent\u00e3o ser triturados em p\u00f3 ou fundidos em lingotes para venda.<\/p>\n
Esse p\u00f3 abrasivo \u00e9 comumente empregado pelos setores aeroespacial e automotivo para brunir e lapidar pe\u00e7as a fim de obter dimens\u00f5es precisas e acabamentos suaves, al\u00e9m de ser usado tamb\u00e9m em cer\u00e2mica, produ\u00e7\u00e3o de vidro e produ\u00e7\u00e3o de a\u00e7o e outros metais. A Alter Technology criou um circuito de r\u00e1dio usando esse material que pode suportar as condi\u00e7\u00f5es extremas do espa\u00e7o.<\/p>\n
A cer\u00e2mica de carbeto de sil\u00edcio \u00e9 um excelente material n\u00e3o \u00f3xido com v\u00e1rias aplica\u00e7\u00f5es devido \u00e0 sua dureza (dureza Mohs > 9), in\u00e9rcia qu\u00edmica, baixo coeficiente de expans\u00e3o t\u00e9rmica e resist\u00eancia ao calor e ao impacto. O carbeto de sil\u00edcio \u00e9 usado como pe\u00e7as resistentes ao desgaste em abrasivos ou pe\u00e7as resistentes ao desgaste em cer\u00e2micas refrat\u00e1rias, bem como em aplica\u00e7\u00f5es el\u00e9tricas e de semicondutores devido \u00e0s suas propriedades de condutividade t\u00e9rmica.<\/p>\n
Para produzir SiC, os fabricantes primeiro combinam s\u00edlica amorfa com carbono em altas temperaturas - geralmente coque de carv\u00e3o como fonte de carbono - antes de moer finamente e misturar com pequenas quantidades de bauxita para formar uma pr\u00e9-forma. Depois, \u00e9 feita a dopagem com nitrog\u00eanio (SiC tipo n) ou com boro, alum\u00ednio e g\u00e1lio (SiC tipo p), dependendo da aplica\u00e7\u00e3o desejada.<\/p>\n
Em seguida, os fabricantes utilizam essa pr\u00e9-forma para produzir carbeto de sil\u00edcio c\u00fabico por meio de liga\u00e7\u00e3o por rea\u00e7\u00e3o ou deposi\u00e7\u00e3o de vapor qu\u00edmico. A liga\u00e7\u00e3o por rea\u00e7\u00e3o \u00e9 a abordagem mais comumente empregada; isso envolve aquec\u00ea-la a 1410 graus Celsius e dop\u00e1-la com nitrog\u00eanio ou boro para produzir SiC do tipo n. A deposi\u00e7\u00e3o de vapor qu\u00edmico requer muito mais energia e equipamentos para seu processo; a liga\u00e7\u00e3o por rea\u00e7\u00e3o requer muito menos.<\/p>\n
O p\u00f3 de SiC condutivo de grau semicondutor foi projetado para atender \u00e0s necessidades exclusivas de crescimento de v\u00e1rios m\u00e9todos de crescimento de monocristais de carbeto de sil\u00edcio condutivo tipo n de terceira gera\u00e7\u00e3o. Esse tipo de p\u00f3 tem uma distribui\u00e7\u00e3o ideal de tamanho de part\u00edcula com poucos vazios, oferecendo n\u00edveis de pureza de produto superiores a 6N.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
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